ranks bei RAM

    Hallo,

    ich habe einen 512er mit 2 ranks und einen mit 1 rank. Was hat das zu bedeuten? Heißt das dann, dass bei einem 512er die 512MB auf 2 "Stücke" und bei dem anderen in "Stück" eingeteilt sind?

    Gruß
    gandalf_32

    PS: Alle anderen Werte beim Arbeitsspeicher wie Timing (CL, RCD, RP, RAS)u.s.w. sind identisch.
    Ich möchte nur wissen, ob die beiden Module gleich schnell sind. Sie unterscheiden sich lediglich an der Anzahle der Ranks.

    Hmmm, den mit 2 ranks habe ich im Dual Channel laufen, den mit 1 Rank aber auch, klapt auch hervorragend.

    Bremst man das System denn aus wenn man 2mal 1 Rank im Dual-Channel und 2mal 2 Ranks Module im ebenfalls im Dual Channel laufen lässt?
    Welches "Dual Channel" ist denn dann schneller, das mit 2 oder mit 1 Ranks oder sind beide gleich schnell?

    Gruß
    gandalf_32

    Hab noch nrn paar Fragen:

    1)Man kann doch 2 mal die Module X im Dual Channel und 2 mal die Module Y im Dual Channel zusammen laufen lassen?

    2) Sind diese beiden Speicher von der Geschwindigkeit gleich?


    Informationsliste Wert
    Arbeitsspeicher Eigenschaften
    Modulname Samsung M3 68L6423FUN-CCC
    Seriennummer F300B8B0h
    Modulgröße 512 MB (2 ranks, 4 banks)
    Modulart Unbuffered
    Speicherart DDR SDRAM
    Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
    Modulbreite 64 bit
    Modulspannung SSTL 2.5
    Fehlerkorrekturmethode Keine
    Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

    Speicher Timings
    @ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
    @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

    Speichermodulbesonderheiten
    Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
    Auto-Precharge Nicht unterstützt
    Precharge All Nicht unterstützt
    Write1/Read Burst Nicht unterstützt
    Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
    Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
    On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
    Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
    Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
    Differential Clock Input Unterstützt
    Redundant Row Address Nicht unterstützt

    Speichermodulhersteller
    Firmenname Samsung
    Produktinformation SAMSUNG's Digital World - Semiconductor | DRAM


    und



    Informationsliste Wert
    Arbeitsspeicher Eigenschaften
    Modulname Samsung M3 68L6523CUS-CCC
    Seriennummer 0606A3C0h
    Modulgröße 512 MB (1 rank, 4 banks)
    Modulart Unbuffered
    Speicherart DDR SDRAM
    Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
    Modulbreite 64 bit
    Modulspannung SSTL 2.5
    Fehlerkorrekturmethode Keine
    Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

    Speicher Timings
    @ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
    @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

    Speichermodulbesonderheiten
    Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
    Auto-Precharge Nicht unterstützt
    Precharge All Nicht unterstützt
    Write1/Read Burst Nicht unterstützt
    Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
    Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
    On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
    Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
    Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
    Differential Clock Input Unterstützt
    Redundant Row Address Nicht unterstützt

    Speichermodulhersteller
    Firmenname Samsung
    Produktinformation SAMSUNG's Digital World - Semiconductor | DRAM



    Der einzige Unterschied ist das mit den Ranks von den Daten her.

    Ja die Rams haben die selbe Geschwindigkeit (PC 3200 400 MHz im Dual-Channel)

    Und die Ranks haben nichts zu bedeuten,

    Bei mir haben DIMM2 & DIMM4 1 Rank
    und DIMM1 & DIMM3 2 Rank

    Gruß...
    DeinMuddn:cool:.

    Ich weiß, ich geb nicht nach;) , aber können die gleichen Module mit 1 Rank auch genauso schnell vom Motherboard angesprochen werden wie die mit 2 Ranks?
    Ein ja oder nein reicht mir auch schon:D .

    Gruß
    gandalf_32